Escritura directa láser de Heidelberg Instruments para patrones cromados finos, fotomáscaras de área grande y capas de máscara alineadas.
Equipo usado para litografía de escritura directa
Las referencias de equipo siguientes muestran la ruta de escritura directa sin máscara de formato pequeño y el escritor láser Heidelberg DWL 66+. Seleccione la ruta de escritura según el sustrato, el tamaño de campo, la característica mínima, el requisito de overlay y el método de inspección del plano del producto.
Un sistema compacto de litografía de precisión para investigación y producción en flujos de micro y nanofabricación. Escribe directamente desde datos de patrón digitales, por lo que no se requiere una fotomáscara separada para cada revisión de diseño.
La ruta Heidelberg admite patrones finos de cromo, campos de escritura mayores, stitching y capas de máscara alineadas. Sus valores de equipo son capacidades de referencia usadas al seleccionar la ruta; la aceptación final del producto sigue ligada al plano aprobado y al proceso cualificado.
Capacidad del equipo
La hoja del sistema suministrada describe tres configuraciones de escritura. Estos valores ayudan a seleccionar un modo de escritura y a fijar el plano del producto; no sustituyen una cualificación de proceso específica del producto.
| Parámetro | Configuración I | Configuración II | Configuración III |
|---|---|---|---|
| Tamaño mínimo de característica | 0.75 µm | 0.75 µm | 1 µm |
| Línea y espacio mínimos | 1.5 µm | 1.5 µm | 2 µm |
| Cuadrícula de direcciones | 12.5 nm | 12.5 nm | 25 nm |
| Rugosidad de borde (3σ) | 30 nm | 40 nm | 50 nm |
| CD uniformity (3σ) | 55 nm | 65 nm | 75 nm |
| Estabilidad de stitching (3σ) | 30 nm | 60 nm | 70 nm |
| Alineación de 2.ª capa | 225 nm | 225 nm | 350 nm |
| Velocidad de escritura | 485 mm²/min | 970 mm²/min | 3150 mm²/min |
| Tiempo de exposición para área 100 × 100 mm | 28 min | 14 min | 5.6 min |
El tamaño mínimo de característica y la línea/espacio fijan el límite práctico del patrón. La cuadrícula de direcciones y la uniformidad de CD influyen en la colocación y la consistencia dimensional. La estabilidad de stitching importa cuando el artwork abarca más de un campo de escritura. La alineación de segunda capa se usa cuando un juego de máscaras comparte marcas de alineación.
La máscara final sigue dependiendo del espesor de resist, la dosis de exposición, el revelado, el bias de ataque de cromo, la planitud del sustrato y el muestreo de inspección. Esas condiciones pertenecen a la especificación del producto y al plan de aceptación.
La escritura láser directa puede exponer resist sobre un blanco de máscara para fabricar una fotomáscara física. Un proceso sin máscara, en cambio, escribe directamente la pieza objetivo sin una máscara de exposición separada. Defina qué componente se suministra antes de especificar el artwork y los requisitos de aceptación.
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