마스크리스 직접 기록 리소그래피 시스템
마이크로·나노 제작 워크플로용 컴팩트 정밀 리소그래피 시스템. 디지털 패턴 데이터에서 직접 기록하므로 설계 개정마다 별도 포토마스크가 필요 없습니다.
- 최소 선폭: ≤600 nm
- 오버레이 정밀도: 3σ에서 ≤500 nm
- 참고 기록 속도: 1,000 mm/min
레이저 직접 묘화
Heidelberg Instruments 레이저 직접 묘화를 이용한 미세 크롬 패턴, 대면적 포토마스크 및 정렬된 마스크 층.
직접 기록 리소그래피에 사용되는 장비
미세 패터닝 유리용 직접 기록 두 경로.
아래 장비 참고는 소형 포맷 마스크리스 직접 기록 경로와 Heidelberg DWL 66+ 레이저 라이터를 보여 줍니다. 제품 도면의 기판, 필드 크기, 최소 피처, 오버레이 요구, 검사 방법에 맞춰 기록 경로를 선택하세요.
Heidelberg DWL 66+ 레이저 직접 기록
Heidelberg 경로는 미세 크롬 패턴, 더 큰 기록 필드, 스티칭, 정렬된 마스크 층을 지원합니다. 장비 값은 경로 선정용 참고 역량이며, 최종 제품 합격은 승인 도면과 적격화된 공정에 계속 묶입니다.
- 크롬 패턴 전사용 디지털 아트워크
- 아래 참고 표의 기록 모드 비교
장비 역량
정밀 포토마스크용 Heidelberg 레이저 직접 기록.
제공된 시스템 시트는 세 가지 기록 구성을 설명합니다. 이 값은 기록 모드 선정과 제품 도면 설정에 도움이 되지만 제품별 공정 적격화를 대체하지 않습니다.
| 파라미터 | 구성 I | 구성 II | 구성 III |
|---|---|---|---|
| 최소 피처 크기 | 0.75 µm | 0.75 µm | 1 µm |
| 최소 라인/스페이스 | 1.5 µm | 1.5 µm | 2 µm |
| 주소 그리드 | 12.5 nm | 12.5 nm | 25 nm |
| 에지 거칠기(3σ) | 30 nm | 40 nm | 50 nm |
| CD uniformity (3σ) | 55 nm | 65 nm | 75 nm |
| 스티칭 안정성(3σ) | 30 nm | 60 nm | 70 nm |
| 2층 정렬 | 225 nm | 225 nm | 350 nm |
| 기록 속도 | 485 mm²/min | 970 mm²/min | 3150 mm²/min |
| 100 × 100 mm 영역 노광 시간 | 28 min | 14 min | 5.6 min |
시스템 기능
- 광원고출력 DPSS 레이저, 355 nm
- 최대 기판 포맷9 × 9 in / 17 × 17 in
- 기판 두께0–12 mm; 기타 두께는 요청 시
- 최대 노광 필드205 × 205 mm / 410 × 410 mm
역량이 제품으로 연결되는 방식
최소 피처 크기와 라인/스페이스가 실용적 패턴 한계를 정합니다. 주소 그리드와 CD 균일도는 배치·치수 일관성에 영향을 줍니다. 아트워크가 여러 기록 필드에 걸치면 스티칭 안정성이 중요합니다. 마스크 세트가 정렬 마크를 공유할 때 2층 정렬을 사용합니다.
최종 마스크는 여전히 레지스트 두께, 노광량, 현상, 크롬 에치 바이어스, 기판 평면도, 검사 샘플링에 좌우됩니다. 이 조건은 제품 사양과 합격 계획에 속합니다.
기준 조건355 nm 고출력 DPSS 레이저; 기판 두께 0–12 mm; 최대 포맷·필드는 선택한 구성과 치구에 따라 달라집니다.
제품 및 기술 안내
마스크 기록 및 직접 노광
레이저 직접 기록은 마스크 블랭크의 레지스트를 노광해 물리 포토마스크를 만들 수 있습니다. 마스크리스 공정은 별도 노광 마스크 없이 대상 공작물을 직접 기록합니다. 아트워크와 합격 요구를 정하기 전에 공급 부품을 정의하세요.
일부 제품 상세 및 기술 페이지는 영어로만 제공됩니다. EN 표시가 있는 링크는 영어 페이지로 연결됩니다.